Samsung anunció el inicio de la producción en masa de sus chips basados en el proceso de fabricación de 3 nanómetros (nm). Esto lo realizará en su fábrica de Hwaseong COMA en Corea del Sur.
La compañía está cambiando la tecnología FinFET (transistor de efecto de campo de aleta) por GAA (Gate All Around). De acuerdo con Samsung, GAA ofrece varias ventajas sobre FinFET, la principal es una mayor eficiencia energética.
Otra nueva tecnología de Samsung es la fabricación de transistores de nanoláminas. Esta reemplaza la tecnología de nanocables, aumentando nuevamente la eficiencia y también el rendimiento.
El uso de nanoláminas, según la compañía, da la capacidad de ajustar muy fácilmente estos parámetros de eficiencia y rendimiento simplemente alterando el tamaño de la nanolámina.
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El camino de Samsung
Samsung está comparando el nuevo proceso 3 nm con el antiguo proceso de fabricación de 5 nm:
- Los nuevos chips deberían venir con un rendimiento mejorado del 23%, una reducción del 45% en el uso de energía y una reducción de área del 16%, y esta es solo la primera generación de silicio de 3 nm.
- La segunda generación traerá un fuerte aumento del 50% en la eficiencia energética, un 30% mejor rendimiento y un 35% menos de área. A
- Samsung espera que estos avances lo ayuden a expandir su estatura en el espacio de la fundición y ganar grandes contratos de fabricación.
- Samsung anunció un plan de inversión de 355 mil millones de dólares para impulsar su producción de chips en mayo de este año.
- La compañía está construyendo nuevas fábricas y líneas de producción, incluida una en los EE. UU.
Foto: FOLOU.