Samsung anunció su nueva tecnología de memoria 3D y almacenamiento V-NAND, que promete un rendimiento impresionante. Sin embargo, la mayoría de esta innovación será utilizada por centros de datos de IA, lo que deja a los consumidores esperando por DDR5 a precios más accesibles.
En el evento Futuro de la Memoria y el Almacenamiento (FMS) en Santa Clara, Samsung presentó modelos conceptuales de zHBM, una arquitectura de memoria que apila HBM directamente sobre los aceleradores de IA. Esto aumenta el rendimiento hasta ocho veces y mejora la eficiencia energética.
Además, introdujeron V10 BV-NAND, que apila más de 400 capas de celdas, incrementando la densidad de memoria en un 58% respecto a la generación anterior. Estas tecnologías son prometedoras, pero la prioridad actual es para centros de datos y aceleradores de IA.
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Qué debes saber
- La nueva tecnología de memoria 3D y V-NAND de Samsung ofrece un rendimiento significativamente mejor.
- La mayoría de esta tecnología será absorbida por centros de datos de IA.
- La demanda de memoria para dispositivos electrónicos comunes sigue elevando los precios.
Especificaciones técnicas
- zHBM: Aumento del rendimiento hasta ocho veces y triplica la eficiencia energética.
- V10 BV-NAND: Apila más de 400 capas de celdas, con un 58% más de densidad de memoria.
- zNAND-O: Combina alta eficiencia espacial, mejora en el rendimiento E/S y baja latencia.
- LPDDR5X-PIM: Tecnología de procesamiento en memoria para mejorar la eficiencia.
Contenido generado con IA y editado por el equipo editorial.
Foto: Samsung.