El Samsung Advanced Institute of Technology anunció un avance significativo en el desarrollo de memoria NAND. Mediante el uso de transistores ferroeléctricos de efecto campo (FeFETs), la compañía asegura haber reducido el consumo energético hasta en un 96% respecto a la NAND convencional.
La memoria NAND es un tipo de memoria flash no volátil que se utiliza comúnmente en dispositivos electrónicos para el almacenamiento de datos. A diferencia de la memoria volátil, la memoria NAND puede mantener los datos incluso sin una fuente de alimentación.
Este descubrimiento, publicado en la revista Nature, podría transformar tanto la duración de batería en dispositivos móviles como la eficiencia energética de los centros de datos que alimentan la inteligencia artificial.
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El problema de la NAND convencional
- La NAND tradicional escala apilando capas de memoria.
- Cada capa requiere un voltaje de paso para transmitir energía, lo que incrementa el consumo total.
- Intentos anteriores de reducir energía resultaron en ventanas de memoria más pequeñas, limitando la capacidad.
- La creciente demanda de memoria por parte de la IA ha intensificado la presión sobre la industria, con escasez prevista hasta 2026.
La solución: transistores ferroeléctricos (FeFETs)
- Eliminan el voltaje de paso, reduciendo drásticamente el consumo.
- Mantienen una densidad multinivel de hasta cinco bits por celda, comparable o superior a la memoria premium actual.
- Combinan semiconductores de óxido con estructuras ferroeléctricas, superando limitaciones previas.
- Samsung propone escalar diseños con canales cortos de 25 nm, lo que abre la puerta a mayor capacidad y eficiencia.
Foto: BoliviaInteligente en Unsplash.