Mini SSD de BIWIN: una de las Mejores Invenciones de 2025 según TIME

Soramir Torres

, INTERNET

La revista TIME incluyó al Mini SSD de BIWIN en su prestigiosa lista de las Mejores Invenciones de 2025, destacándolo como una solución revolucionaria en almacenamiento de datos. Este reconocimiento posiciona a BIWIN como un actor clave en la evolución de la tecnología móvil, la inteligencia artificial y la computación integrada.

Con apenas 15 × 17 × 1,4 mm, el Mini SSD de BIWIN es más compacto que una tarjeta microSD, pero ofrece velocidades de lectura de hasta 3.700 MB/s y escritura de 3.400 MB/s. Está disponible en versiones de 512 GB, 1 TB y 2 TB, y utiliza protocolos PCIe Gen4x2 y NVMe 1.4, lo que lo convierte en una opción ideal para tareas exigentes como edición de video 4K, entrenamiento de modelos de IA o transferencia de archivos pesados.

Su diseño se basa en tecnología de empaquetado Land Grid Array (LGA), que integra el controlador y la memoria flash en un solo plano, mejorando la eficiencia térmica y la estabilidad mecánica. Además, cuenta con certificación IP68 y resistencia a caídas de hasta 3 metros, lo que garantiza durabilidad en entornos extremos.

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Inteligencia y eficiencia en un formato plug-and-play

  • El Mini SSD incorpora firmware avanzado con funciones como:
    • Caché SLC dinámica
    • Nivelación de desgaste
    • TRIM
    • Recolección de basura
  • Estas características aseguran un rendimiento sostenido y una larga vida útil. 
  • Su diseño tipo bandeja SIM permite intercambios rápidos sin herramientas, lo que facilita su uso en dispositivos móviles, consolas de juegos, cámaras inteligentes, sistemas NAS y soluciones edge con IA.

Reconocimiento global a la innovación

  • La lista de TIME evalúa cada año cientos de productos según su originalidad, eficacia e impacto. 
  • El Mini SSD fue seleccionado por su capacidad de resolver un desafío clave en la electrónica de consumo: cómo ofrecer almacenamiento de alto rendimiento en dispositivos cada vez más pequeños y móviles.

Foto: l BIWIN.

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